溫度頻差
tolerance over the temperature range
溫度范圍 temperature range
a: 0℃～+50 ℃
b:-10 ℃～+60 ℃
c:-20 ℃～+70 ℃
d: -30℃～+80 ℃
e: -40 ℃～+85 ℃
or specify
偏差范圍 tolerance range
±10ppm,±20ppm,±30ppm
or specify
電容
capacitance
靜態(tài)電容
shunt capacitance
晶片頻率越高,靜電容越大;
鍍膜時(shí)電極越大,靜電容越大.
動(dòng)態(tài)電容
dynamic capacitance
一般,廠家不作要求.
負(fù)載電容
load capacitance
0 ～32pf or specify
(負(fù)載電容:測試時(shí)加此負(fù)載測試,一般,客戶常用負(fù)載為9 ～22pf)
等效電阻
equivalent series resistance
影響電阻因素很多:晶片,制造工藝,環(huán)境等.
晶片本身對電阻影響很大:
1. 晶片頻率越低,電阻越大
2. 晶片表面積越效,電阻越大;晶片上鍍膜面積越小,電阻越大.
激勵(lì)功率
drive level
10μw ～100μw
氣密性
leakage
gross leak: 1.3*10-5pa.m3/s max
fine leak: 2.1*10-9pa.m3/s max
1、標(biāo)稱頻率
該頻率特指晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，表示為mhz或khz。
2、調(diào)整頻差
標(biāo)稱頻率在一定溫度（一般是25℃）下的允許偏差，表示為百分?jǐn)?shù)（%）或百萬分之幾（ppm）。
3、工作溫度范圍
石英晶體元器件在規(guī)定的誤差內(nèi)工作的溫度范圍。
4、溫度頻差
在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25℃±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。
5、儲存溫度
晶體在非工作狀態(tài)下保持標(biāo)準(zhǔn)特性的溫度范圍。
6、激勵(lì)功率(dl)
晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。
功率是大多數(shù)功率器件在保證正常電氣參數(shù)的情況下，維持工作所消耗的功率，單位為mw或uw。一般情況激勵(lì)功率應(yīng)維持在確保石英晶體正常起振和穩(wěn)定振蕩所需要的值，以避免年老化特性不良和晶體損傷。
7、負(fù)載電容（cl）
與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率的有效外界電容。任何外部電容一旦與石英晶體串聯(lián)，即會(huì)成為其諧振頻率的一個(gè)決定因素。負(fù)載電容變化時(shí)，頻率也會(huì)隨之改變。因此，在電路中使用時(shí)，經(jīng)常會(huì)以標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容來微調(diào)頻率至期望值。
8、靜態(tài)電容（c0）
等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容。
9、等效串聯(lián)電阻（rr）
晶體在諧振頻率下的電阻值，單位為歐姆。
10、絕緣電阻
引線之間或引線和殼體之間的電阻。
1、dld2
在特定的功率范圍內(nèi)所測量到的與最小阻抗的偏差量。
12、rld2
在的變化功率范圍內(nèi)測量到的阻抗。
13、老化
工作頻率在特定時(shí)間范圍內(nèi)的變化量，一般表達(dá)為值，單位是每年頻率變化量的百萬分之幾（ppm/年）。頻率隨時(shí)間而變化的原因有很多，如：密封性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。
1. 頻率：27.000mhz
2. 頻差：（25℃±2℃）±30ppm
3. 外形：hc-49us
4. 振動(dòng)模式：at-基頻
5. 工作溫度：-20℃-70℃
6. 溫度頻差：±30ppm（-20℃-70℃）
7. 貯存溫度：-55℃-125℃
8. 激勵(lì)功率：100uw max
9. 負(fù)載電容：20pf
10. 靜電容：7pf max
11. 等效電阻：40 ohm
12. 絕緣電阻：500 mega ohm min./dc 100v
13. dld2：9 ohm max （0.01uw，0.2uw，0.3uw，1uw，5uw，20uw，50uw）
14. rld2：40 ohm max（0.01uw，0.2uw，0.3uw，1uw，5uw，20uw，50uw）
15. 年老化率：±5ppm/year
16. 跌落測試：在75cm高處自由落體在硬木板上3次，頻率偏差小于±5ppm，電阻偏差小于±15%