該儀器采用流水式測(cè)量原理，無(wú)熱量積累，可長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)測(cè)量；吸收體與被測(cè)激光器形狀吻合，無(wú)接收死角，測(cè)量精度高；抗激光破壞閾值高，光譜響應(yīng)范圍寬。適用于大尺寸環(huán)形半導(dǎo)體激光器陣列輸出功率的直接測(cè)試。流水式探測(cè)器設(shè)計(jì)，適合大功率半導(dǎo)體激光器長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試吸收體的表面形狀與被測(cè)對(duì)象吻合，可實(shí)現(xiàn)全光束接收抗激光破壞閾值高響應(yīng)度高、響應(yīng)速度快、均勻性好光譜響應(yīng)范圍寬便于拆裝、操作簡(jiǎn)單技術(shù)參數(shù)：光譜響應(yīng)范圍：600nm～1000nm功率探測(cè)范圍：100w～1500w*大峰值功率密度：≥5kw/cm2光敏面形狀：圓柱形光敏面外表面直徑：≤8mm光敏面長(zhǎng)度：150mm響應(yīng)時(shí)間：≤15s
kpbgs-6341電子薄膜應(yīng)力分布測(cè)試儀該儀器是為解決微電子、光電子科研與生產(chǎn)中基片平整度及薄膜應(yīng)力分布的測(cè)試而設(shè)計(jì)的。它通過(guò)測(cè)量每道工序前后基片面形的變化（變形）來(lái)測(cè)量曲率半徑的變化及應(yīng)力分布，從而計(jì)算薄膜應(yīng)力。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝研究及質(zhì)量控制，為改善半導(dǎo)體器件可靠性提供測(cè)試數(shù)據(jù)。本儀器適用于測(cè)量si、ge、caas等半導(dǎo)體材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應(yīng)力分布。技術(shù)參數(shù)：測(cè)試硅片尺寸：2～4英寸硅片曲率范圍：|r|> 5米測(cè)試精度：5%（在r=±8米處考核）單片測(cè)試時(shí)間：3分鐘/片輸出結(jié)果類(lèi)型：面形、曲率分布、梯度分布和應(yīng)力分布圖形顯示功能：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表格電 源：ac 220（1±10%）v，50（1±5%）hz*大功耗：100w外形尺寸：285mm×680mm×450mm重 量：≤36kg