5月15日消息，從比亞迪半導體獲悉，比亞迪半導體西安研發(fā)中心即將啟用。
據(jù)悉，比亞迪半導體在全國擁有五大研發(fā)及生產(chǎn)制造基地，分別是深圳、惠州、寧波、長沙、西安。
位于西安的半導體研發(fā)中心，將配備近千人的研發(fā)團隊，是比亞迪半導體精心布局的全新研發(fā)基地，承擔著開啟新一輪半導體創(chuàng)新與研發(fā)攻堅戰(zhàn)的使命。
比亞迪半導體將充分利用西安在集成電路方面的人才資源、供應(yīng)鏈資源及客戶資源，主要從事功率半導體、智能傳感器、智能控制ic等半導體產(chǎn)品的設(shè)計及服務(wù)，進一步提升公司產(chǎn)品研發(fā)和技術(shù)實力。
據(jù)悉，繼2018年在寧波發(fā)布igbt4.0芯片技術(shù)以來，歷時兩年積累，比亞迪半導體打磨出一款更高性能的igbt6.0芯片，并計劃于比亞迪半導體西安研發(fā)中心全新發(fā)布。
據(jù)了解，自2002年進入半導體領(lǐng)域以來，比亞迪半導體在2009年便推出國內(nèi)首款自主研發(fā)的igbt芯片，2018年推出igbt4.0芯片。
截止2020年底，以igbt為主的車規(guī)級功率器件累計裝車超過100萬輛，單車行駛里程超過100萬公里。
igbt4.0芯片通過精細化平面柵設(shè)計，使得同等工況下，綜合損耗較市場主流產(chǎn)品降低了約20%，整車電耗顯著降低。
比亞迪半導體稱，igbt6.0芯片采用新一代自主研發(fā)的高密度溝槽柵技術(shù)，相較同類產(chǎn)品在可靠性及產(chǎn)品性能上將實現(xiàn)重大突破。
資料顯示，igbt(insulated gate bipolar transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是一種大功率的電力電子器件，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電，俗稱電力電子裝置的“cpu”。
igbt是新能源汽車最核心的技術(shù)，其好壞直接影響電動車功率的釋放速度：直接控制直、交流電的轉(zhuǎn)換，同時對交流電機進行變頻控制，決定驅(qū)動系統(tǒng)的扭矩(直接影響汽車加速能力)、最大輸出功率(直接影響汽車最高時速)等。
原標題：電車里的核心“cpu”！比亞迪igbt6.0芯片將發(fā)布：性能重大突破