sic由于其禁帶寬度大、熱導率高、電子的飽和漂移速度大、臨界擊穿電壓高和介電常數(shù)低等特點，在高頻、高功率、耐高溫的半導體功率器件和紫外探測器等領域有著廣泛的應用前景，特別是在電動汽車、電源、、航天等領域備受歡迎。
在市場中，單晶襯底企業(yè)主要有 cree、dowcorning、sicrystal、ii-vi、新日鐵住金、norstel 等，外延片企業(yè)主要有 dowcorning、ii-vi、norstel、cree、羅姆、三菱電機、infineon 等，器件方面，大部分被 infineon、cree、羅姆、意法半導體等少數(shù)企業(yè)瓜分。
不過，近年來國內(nèi)已初步建立起相對完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈體系，包括有 idm 廠商中車時代電氣、世紀金光、泰科天潤、揚杰電子等，單晶襯底企業(yè)山東天岳、天科合達、同光晶體等，外延片企業(yè)天域半導體、瀚天天成等，部分廠商已取得階段性進展。
外延材料是實現(xiàn)器件制造的關鍵，主要技術指標有表面缺陷密度、外延層厚度、外延層摻雜濃度和表面粗糙度等。下面闡述sic外延表面常見的測試手段：
1. 表面缺陷(光學表面缺陷分析儀)
原理：sic外延片的表面缺陷主要包括三角型、胡蘿卜型缺陷、微管等，一般常用光學表面缺陷掃描儀來檢測，其采用激光掃描樣品表面，在缺陷部位信噪比增強，通過結合亮場，暗場，偏光和微分等通道，可以對各類缺陷進行統(tǒng)計分析。
應用：表面缺陷、凹坑、臟污、劃痕、應力、膜厚等
測量缺陷靈敏度：70nm psl（@smooth si ），150nm psl（@smooth glass ）
膜厚靈敏度：0.5a
廠商：美國kla、lumina instruments等
2. 摻雜濃度（汞探針cv測試儀）
原理：汞探針cv測試儀是利用肖特基勢壘電容c-v特性來測試摻雜濃度的測試方法。汞探針和n型碳化硅外延層接觸時，在n型碳化硅外延層一側形成勢壘。在汞金屬和碳化硅外延層之間加一直流反向偏壓時，肖特基勢壘寬度向外延層中擴展。如果在直流偏壓上疊加一個高頻小信號電壓，其勢壘電容隨外加電壓的變化而變化可起到電容的作用。通過電容-電壓變化關系，即可找到金屬-半導體肖特基勢壘在外延層一側的摻雜濃度分布。
應用：外延摻雜濃度，電阻率等
測量范圍： 1e14 – 1e19/cm3。
廠商：美國4d
3. 外延層膜厚 (傅里葉紅外光譜，fr-ir)
原理：對于摻雜的sic外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。當外延層表面反射的光束和襯底界面反射的光束的光程差是半波長的整數(shù)倍時，反射光譜中可以觀察到極大極小值。根據(jù)反射譜中干涉條紋的極值峰位，試樣的光學常數(shù)以及入射角可以計算出相應的外延層厚度。
應用：測定sic外延層膜厚
廠商：thermo fishter，pe，onto innovation等
4. 粗糙度 (原子力顯微鏡，afm)
原理：將一個對微弱力極敏感的微懸臂一端固定，另一端有一微小的針尖，針尖與樣品表面輕輕接觸，由于針尖原子與樣品表面原子間存在極微弱的排斥力，通過在掃描時控制這種力的恒定，帶有針尖的微懸臂將對應于針尖與樣品表面原子間作用力的等位面而在垂直于樣品的表面方向起伏運動。利用光學檢測法或隧道電流檢測法，可測得微懸臂對應于掃描各點的位置變化，從而可以獲得樣品表面形貌的信息。
應用：樣品表面形貌、表面粗糙度、力學、電學等性能測量。
測量范圍：橫向100*100um，縱向0-15um，z向分辨率0.015nm。
廠商：park system，bruker等
此外，通常還需要測定外延片幾何尺寸，光致發(fā)光測定空位缺陷和應力儀測定應力分布等，通過多種測試技術的配合使用，從而得到高質量的外延片，為后續(xù)器件制造奠定基礎。