等離子廠家介紹鍺在集成電路中的潛在應(yīng)用及其蝕刻方法（下）：
從筆者的認知來看，這里面高活性蝕刻氣體的使用似乎更為關(guān)鍵，無論是氯氣的增加還是chf3的使用都會使金屬成分的蝕刻加快。而轟擊偏壓的影響卻并非關(guān)鍵，從除了關(guān)鍵尺寸的差異外，高低偏壓下的形貌差異并不明顯。見進一步加大氯氣流量，會使鍺的合金側(cè)向蝕刻加快形成底部內(nèi)收的形貌，這也表明高活性化學(xué)蝕刻氣體對鍺的蝕刻更加有效同時不會損失過多的光阻，以達到保證側(cè)壁輪廓曲線的效果。
另一類是以含氟氣體為主的蝕刻，主要蝕刻劑是cf4，產(chǎn)物為gef4較易揮發(fā)。我們可以得到非常平滑的圖形形貌。加人氧氣可以調(diào)節(jié)鍺對其合金的選擇比，高達到434。這很重要，因為鍺的多層結(jié)構(gòu)一般都是外延生成，而期間的誘導(dǎo)層和層間結(jié)構(gòu)一般都為鍺的合金材料，選擇比高的工藝可以更好地對這類多層結(jié)構(gòu)蝕刻進行控制。
我們知道cf4也是一類高活性的化學(xué)蝕刻氣體。從效果看，在cf4中加人氧氣的蝕刻選擇比更高，這是因為氧會更容易與下層材料(sn)反應(yīng)，形成表面保護膜，阻止蝕刻進一步發(fā)生，提高選擇比。而似乎利用cf4蝕刻的形貌也更好，但氯氣蝕刻的優(yōu)點是損傷低，對界面層和溝道層有好處。無論是以氯為主還是以氟為主的鍺的蝕刻，都是目前常見的工藝，也獲得了不錯的效果，分別在器件制造中得以應(yīng)用。另一類并不多見的鍺的蝕刻是利用xef2氣體。