加在串聯(lián)的每只晶閘管上的電壓不均勻就很容易引起晶閘管因過壓而損壞;電網(wǎng)存在電壓諧波也很容易引起晶閘管因dv/dt瞬時過壓而損壞;串聯(lián)的多只晶閘管因開通與關(guān)斷不同步同樣會引起晶閘管因過壓而損壞。
從目前高壓串聯(lián)晶閘管的故障來看，幾乎所有晶閘管的損壞均由上述3種情況所引起的，行業(yè)內(nèi)統(tǒng)稱為過壓損壞。
綜合以上的分析可知，晶閘管的損壞主要與電壓有關(guān)，有必要從電壓著手進(jìn)行研究，針對性的對晶閘管進(jìn)行相應(yīng)驅(qū)動與保護(hù)措施，以防止晶閘管因過壓而損壞。
晶閘管的保護(hù)：
1、過壓保護(hù)
晶閘管元件有很多的優(yōu)點(diǎn),但由于擊穿電壓比較接近工作電壓，熱容量又小，因此承受過電壓,過電流能力差，短時間的過電壓、過電流都可能造成元件損壞。為了使晶閘管元件能正常工作而不損壞，除合理選擇元件外，還必須針對過電壓、過電流發(fā)生的原因采取適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。凡超過晶閘管正常工作時所承受的最大峰值電壓的電壓均為過電壓。過電壓根據(jù)產(chǎn)生的原因可分為二大類:
1操作過電壓:由變流裝置拉、合閘和器件關(guān)斷等經(jīng)常性操作中電磁過程引起的過電壓;
2浪涌過電壓:由雷擊等偶然原因引起,從電網(wǎng)進(jìn)入變流裝置的過電壓,其幅度可能比操作過電壓過高.
3均壓保護(hù)
可控硅串聯(lián)時，為了使每組可控硅上的電壓分布均勻，必然回采用均壓保護(hù)。