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        開關(guān)電容濾波器

        發(fā)布時(shí)間:2024-08-16
        模擬集成電路新技術(shù)(new analog ic technologies)
        模擬集成電路飛速發(fā)展,使用mos器件的模擬集成電路逐漸成為主流。mos器件具有尺寸小、功耗低等優(yōu)點(diǎn),特別是它可以兼容數(shù)字電路的主流工藝。
        采用數(shù)字工藝實(shí)現(xiàn)模擬功能:濾波中的開關(guān)電容技術(shù)和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換中的∑-△技術(shù)
        連續(xù)時(shí)間系統(tǒng)和離散時(shí)間系統(tǒng)
        方框代表一個(gè)系統(tǒng),該系統(tǒng)可以是線性的或非線性的,也可以是處理連續(xù)時(shí)間(模擬)信號(hào)的連續(xù)時(shí)間系統(tǒng)或處理離散信號(hào)的離散時(shí)間系統(tǒng)。
        模擬電子系統(tǒng)就是典型的連續(xù)時(shí)間系統(tǒng)。
        數(shù)字電子系統(tǒng)就是典型的離散時(shí)間系統(tǒng)。
        抽樣數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
        連續(xù)信號(hào)在離散瞬時(shí)間nt(n=0,1,2,…)下抽樣就得到抽樣數(shù)據(jù)信號(hào),用x=(nt)表示,t為抽樣周期。
        抽樣數(shù)據(jù)處理系統(tǒng):處理抽樣數(shù)據(jù)信號(hào)的系統(tǒng)稱為抽樣數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
        抽樣數(shù)據(jù)輸入和輸出信號(hào)通常表示成離散變量nt的函數(shù)。
        x=x(nt),y=y(nt)
        抽樣數(shù)據(jù)信號(hào)只在離散瞬時(shí)改變,因此,屬于離散時(shí)間系統(tǒng)。
        抽樣數(shù)據(jù)電路
        抽樣數(shù)據(jù)電路處理的是抽樣信號(hào),即時(shí)間離散而幅度連續(xù)的信號(hào),它是一種離散時(shí)間電路,所以其基本單元與數(shù)字電路類似,但因它所處理的信號(hào)沒有量化,所以不會(huì)產(chǎn)生量化噪聲。
        抽樣數(shù)據(jù)電路主要有三種類型:
        電荷耦合器件(ccd,charge coupled device)
        開關(guān)電容電路(sc,switched capacitor circuits)
        開關(guān)電流電路(si,switched current circuits)
        開關(guān)電容電路
        開關(guān)電容由兩個(gè)mos開關(guān)和mos電容組成。
        φ1和φ1是不重疊的兩相時(shí)鐘脈沖,因此兩只mos管輪流導(dǎo)通。
        用開關(guān)電容來模仿電阻
        開關(guān)電容相當(dāng)于一個(gè)電阻
        原理分析 :
        在t=(n-1)tc時(shí)刻,開關(guān)打在左邊,電容充電至v1(t),其充電量為
        qc(t)=c v1 [(n-1)tc]
        在(n-1/2)tc時(shí)刻,開關(guān)打在右邊,電容放電至v2(t),電容上電量為
        qc(t)=qc [(n-1/2)tc]=c v2 [(n-1/ 2)tc]
        在每一個(gè)時(shí)鐘周期tc內(nèi),電容上電荷的變化量為
        從近似平均的角度看,可以把一個(gè)tc內(nèi)由v1(t)送往v2(t)的δqc(t)等效為一個(gè)平均電流ic(t),其大小為:
        因?yàn)闀r(shí)鐘脈沖周期tc遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于v1(t)和v2(t)的周期,故在tc內(nèi)可認(rèn)為v1(t)和2(t)v2(t)是恒值。
        開關(guān)電容能模擬成電阻,解決了模擬集成電路制造中的一個(gè)關(guān)鍵問題。因?yàn)樵诩呻娐分圃爝^程中,電阻常常受到容差和熱漂移所困擾,而且要占據(jù)昂貴的芯片面積。
        例如,制造一個(gè)10mω的集成電阻所占硅片襯底面積約為1mm2,而制造一個(gè)10mω的開關(guān)電容模擬電阻,在fc=100khz時(shí),只要制造1pf的mos電容,該電容占用的硅片襯底面積只有0.01 mm2。
        開關(guān)電容積分器
        模擬積分器
        用開關(guān)電容代替積分器中的電阻
        當(dāng)ωc>>ω時(shí),由vi流向求和節(jié)點(diǎn)的電流就可以認(rèn)為是連續(xù)的。
        結(jié)論:
        電路中沒有電阻。
        特征頻率ω0取決于電容比值,采用現(xiàn)有的技術(shù),很容易就可以達(dá)到低至0.1%的比值容差。
        特征頻率ω0與時(shí)鐘頻率fc成比例,表明開關(guān)電容必然是可編程的。改變會(huì)在頻譜圖上使響應(yīng)上移或下移。另一方面,如果需要一個(gè)固定和穩(wěn)定的特征頻率fc ,則可用一石英晶體振蕩器來產(chǎn)生fc。
        有源雙二階濾波器
        sc雙二階濾波器
        單片集成濾波器
        單片集成濾波器大都是scf。原因是它的時(shí)間常數(shù)取決于電容化集成工藝,可實(shí)現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定度的電容比。
        單片集成scf較具代表性的產(chǎn)品主要有美國linear technology(凌特)公司生產(chǎn)的通用型(可組合為低通、帶通、高通等)和低通scf兩類。通用型scf主要有:ltc1059(2階)、ltc1060(4階)、ltc1061(6階)、ltc1064(8階)等。低通scf主要有:ltc1062/1063(5階)、ltc1064(8階)。
        tl14——巴特沃斯四階低通開關(guān)電容濾波器
        (1)低成本、易用;
        (2)濾波器的截止頻率取決于外部時(shí)鐘頻率;
        (3)截止頻率范圍從0.1hz至30khz。
        fc= fclock /100
        上一個(gè):RC0805DR-0715K4L,0805 15.4KΩ 0.5%電阻
        下一個(gè):s-vans/超高亮度LED照明裝置SELONE N的特征是什么?

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