在電子器件中，三極管和mosfet是兩種常用的晶體管類型，它們在電路中起到非常重要的作用。然而，對于這兩種晶體管類型，在使用時需要注意一些區(qū)別。其中一個區(qū)別就是在飽和狀態(tài)下，三極管使用rce飽和，而mosfet使用vds飽和。
首先，我們來了解一下飽和狀態(tài)。在晶體管工作中，飽和狀態(tài)是指輸入的信號電壓達(dá)到一定水平時，輸出電流無法再增加的狀態(tài)。這種狀態(tài)分為兩種：硬飽和和軟飽和。當(dāng)達(dá)到硬飽和時，晶體管的輸出電流完全不再變化。而當(dāng)處于軟飽和時，雖然輸出電流已達(dá)到最大值，但仍然存在壓降。
對于三極管，在飽和狀態(tài)下會使用rce飽和。具體來說，當(dāng)三極管的基極電壓足夠高時，它可以導(dǎo)通電流。此時，電流會通過集電極到發(fā)射極，同時，在rce上會產(chǎn)生一定的電壓降。當(dāng)這個電壓降變得足夠高時，三極管就會進(jìn)入硬飽和狀態(tài)，導(dǎo)通電流不會再增加。在這種情況下，三極管的飽和電壓與rce的值相關(guān)。
而對于mosfet，則使用飽和vds。在mosfet中，飽和狀態(tài)是指溝道遠(yuǎn)離兩個源/漏極的狀態(tài)。在mosfet的導(dǎo)通狀態(tài)下，柵極上的電壓會控制溝道的導(dǎo)電性。當(dāng)柵極電壓較高時，溝道的導(dǎo)電性就會增加，導(dǎo)通電流也就加強(qiáng)。在這種情況下，只有當(dāng)源漏電壓達(dá)到飽和電壓時，mosfet才會進(jìn)入硬飽和狀態(tài)。因此，在mosfet中，飽和電壓取決于vds的值。
綜上所述，雖然三極管和mosfet都可以達(dá)到飽和狀態(tài)，但在實際應(yīng)用中，需要根據(jù)其特性來決定使用何種飽和方式。同時，在使用時，需要注意二者的不同之處，避免出現(xiàn)因飽和問題而導(dǎo)致的電路問題。