半導體二極管的參數(shù)包括最大整流電流if、反向擊穿電壓vbr、最大反向工作電壓vrm、反向電流ir等。幾個主要的參數(shù)介紹如下：
(1) 最大整流電流if——二極管長期連續(xù)工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。
(2) 反向擊穿電壓vbr和最大反向工作電壓vrm——二極管反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓vbr。為安全計，在實際工作時，最大反向工作電壓vrm一般只按反向擊穿電壓vbr的一半計算。
(3) 反向電流ir——在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下，一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(na)級；鍺二極管在微安(ma)級。
(4) 正向壓降vf——在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.6～0.8v；鍺二極管約0.2～0.3v。